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英特爾利用硅開發出40Gbps超高速光調制器
日期：2022-06-16 11:18
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英特爾利用硅開發出40Gbps超高速光調制器
據國外某網站報道，英特爾已經正式宣布利用硅開發出了40Gbps的超高速的光調制器。新產品為MZI型，“通過調整行波電極的設計，實現了40Gbps的調制”(英特爾)。行波電極是在光和高頻電信號前進的方向上，根據相位在一定距離設置的相互作用電極。其特點是調制效率高，易于實現高速化及低壓驅動。
英特爾曾于2005年5月利用硅開發出了10Gbps的光調制器。今后，該公司還計劃將25個40Gbps光調制器集成在一枚芯片上，實現1Tbps的傳輸容量，以用于超級計算機的板卡間通信等。
英特爾已經將采用上述光調制器實現的30Gbps調制成果發表在了2007年1月22日的光通信技術學術雜志《Optics Express》上。并在2007年7月8～11日于美國猶他州舉行的國際會議“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上，宣布傳輸速度達到了40Gbps。
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